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BCP68T1G中文资料

BCP68T1G图片

BCP68T1G外观图

  • 大小:56.1KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:20V; Continuous Collector Current, Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):0.5V; Power Dissipation, Pd:1.5W ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):85 @ 500mA,1V
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 频率 - 转换:60MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BCP68T1GOSTR

BCP68T1G供应商

更新时间:2023-01-12 16:27:04
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